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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > IXTV200N10TS
IXTV200N10TS
IXTV200N10TS
Modelo do Produto:
IXTV200N10TS
Fabricante:
IXYS Corporation
Descrição:
MOSFET N-CH 100V 200A PLUS220SMD
Status sem chumbo:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
46731 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Tempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de dados:
IXTV200N10TS.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

Condição New & Original, tested
País de origem Contact us
Código de Marcação Send by email
VGS (th) (Max) @ Id:4.5V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:PLUS-220SMD
Série:TrenchMV™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:5.5 mOhm @ 50A, 10V
Dissipação de energia (Max):550W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:PLUS-220SMD
Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:9400pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:152nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):100V
Descrição detalhada:N-Channel 100V 200A (Tc) 550W (Tc) Surface Mount PLUS-220SMD
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:200A (Tc)
Email:[email protected]

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