IXTP6N100D2
IXTP6N100D2
Modelo do Produto:
IXTP6N100D2
Fabricante:
IXYS Corporation
Descrição:
MOSFET N-CH 1000V 6A TO220AB
Status sem chumbo:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
22138 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Tempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de dados:
IXTP6N100D2.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Original, tested
País de origem Contact us
Código de Marcação Send by email
VGS (th) (Max) @ Id:-
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-220AB
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:2.2 Ohm @ 3A, 0V
Dissipação de energia (Max):300W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-220-3
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:24 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2650pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:95nC @ 5V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:Depletion Mode
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):-
Escorra a tensão de fonte (Vdss):1000V
Descrição detalhada:N-Channel 1000V 6A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-220AB
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:6A (Tc)
Email:[email protected]

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