IXTN550N055T2
IXTN550N055T2
Modelo do Produto:
IXTN550N055T2
Fabricante:
IXYS Corporation
Descrição:
MOSFET N-CH 55V 550A SOT-227
Status sem chumbo:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
55849 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Tempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de dados:
IXTN550N055T2.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Original, tested
País de origem Contact us
Código de Marcação Send by email
VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:SOT-227B
Série:GigaMOS™, TrenchT2™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:1.3 mOhm @ 100A, 10V
Dissipação de energia (Max):940W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:SOT-227-4, miniBLOC
Outros nomes:623216
Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Chassis Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:24 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:40000pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:595nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):55V
Descrição detalhada:N-Channel 55V 550A (Tc) 940W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:550A (Tc)
Email:[email protected]

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