IXTA130N10T
IXTA130N10T
Modelo do Produto:
IXTA130N10T
Fabricante:
IXYS Corporation
Descrição:
MOSFET N-CH 100V 130A TO-263
Status sem chumbo:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
25315 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Tempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de dados:
IXTA130N10T.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Original, tested
País de origem Contact us
Código de Marcação Send by email
VGS (th) (Max) @ Id:4.5V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-263 (IXTA)
Série:TrenchMV™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:9.1 mOhm @ 25A, 10V
Dissipação de energia (Max):360W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Outros nomes:Q3262430
Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:5080pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:104nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):100V
Descrição detalhada:N-Channel 100V 130A (Tc) 360W (Tc) Surface Mount TO-263 (IXTA)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:130A (Tc)
Email:[email protected]

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