IXFT150N17T2
Modelo do Produto:
IXFT150N17T2
Fabricante:
IXYS Corporation
Descrição:
MOSFET N-CH
Quantidade em estoque:
31121 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Tempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de dados:
IXFT150N17T2.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Original, tested
País de origem Contact us
Código de Marcação Send by email
VGS (th) (Max) @ Id:4.5V @ 1mA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-268
Série:HiPerFET™, TrenchT2™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:12 mOhm @ 75A, 10V
Dissipação de energia (Max):880W (Tc)
Caixa / Gabinete:TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Tempo de entrega padrão do fabricante:24 Weeks
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:14600pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:233nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):175V
Descrição detalhada:N-Channel 175V 150A (Tc) 880W (Tc) Surface Mount TO-268
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:150A (Tc)
Email:[email protected]

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