IS43LD32640B-18BLI está disponível agora!A tecnologia LYNTEAM é o distribuidor de meia para IS43LD32640B-18BLI, temos as ações para envio imediato e também disponível por um longo período de tempo.Por favor, envie-nos o seu plano de compra para IS43LD32640B-18BLI por e-mail, vamos dar-lhe um melhor preço de acordo com o seu plano.
Compre IS43LD32640B-18BLI com LYNTEAM, economize seu dinheiro e tempo.
Nosso email: [email protected]
IS43LD32640B-18BLI
- Modelo do Produto:
- IS43LD32640B-18BLI
- Fabricante:
- ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
- Descrição:
- IC DRAM 2G PARALLEL 533MHZ
- Status sem chumbo:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade em estoque:
- 28264 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days
- Tempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de dados:
- IS43LD32640B-18BLI.pdf
Introdução
Especificações
| Condição | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origem | Contact us |
| Código de Marcação | Send by email |
| Escrever Tempo do Ciclo - Palavra, Página: | 15ns |
| Tensão - Fornecimento: | 1.14 V ~ 1.95 V |
| Tecnologia: | SDRAM - Mobile LPDDR2-S4 |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | 134-TFBGA (10x11.5) |
| Série: | - |
| Embalagem: | Tray |
| Caixa / Gabinete: | 134-TFBGA |
| Temperatura de operação: | -40°C ~ 85°C (TC) |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Tipo de memória: | Volatile |
| Tamanho da memória: | 2Gb (64M x 32) |
| Interface de memória: | Parallel |
| Formato de memória: | DRAM |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 14 Weeks |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Descrição detalhada: | SDRAM - Mobile LPDDR2-S4 Memory IC 2Gb (64M x 32) Parallel 533MHz 134-TFBGA (10x11.5) |
| Freqüência de relógio: | 533MHz |
| Email: | [email protected] |
Peças relacionadas para IS43LD32640B-18BLI
Latest Notícias
- A MOELS Micro Electronics criou um novo escritório em Taiwan, China para expandir o território comercial
- O desempenho dos instrumentos do Texas ainda está para ser impulsionado, e as duas fábricas de armazenamento empurram novos produtos de memória flash
- O relatório financeiro do primeiro trimestre do semicondutor SEF (ST) diminui, e a demanda por automóveis diminuiu a velocidade
- O desempenho dos instrumentos do Texas ainda está para ser impulsionado, e as duas fábricas de armazenamento empurram novos produtos de memória flash
- Volume local de chip maduro, capacidade de produção de memória flash samsung nand próxima à carga
- Vishay lança uma embalagem minilada de alto brilho azul e verde puro LED
- Ansonmei lançou um sensor de posição indutiva para o mercado industrial e de transporte
- Ruisa inicia a antiga fábrica para aumentar o dispositivo de energia, o terremoto afeta a saída de DRAM leve
- O microchip permite a capacidade de produção do TSMC e aumenta os aumentos de preços
- Ruisa lançou a nova série RA0 Ultra -Low Power Entry -Lvel MCU
- Melexis lança um chip de comutação indutor integrado completo
- O X-FAB apresenta a tecnologia de iluminação do sensor de imagem para aprimorar o desempenho do sensor CMOS