IRG4PH50UPBF está disponível agora!A tecnologia LYNTEAM é o distribuidor de meia para IRG4PH50UPBF, temos as ações para envio imediato e também disponível por um longo período de tempo.Por favor, envie-nos o seu plano de compra para IRG4PH50UPBF por e-mail, vamos dar-lhe um melhor preço de acordo com o seu plano.
Compre IRG4PH50UPBF com LYNTEAM, economize seu dinheiro e tempo.
Nosso email: [email protected]
IRG4PH50UPBF
- Modelo do Produto:
- IRG4PH50UPBF
- Descrição:
- IGBT 1200V 45A 200W TO247AC
- Status sem chumbo:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade em estoque:
- 29900 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days
- Tempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de dados:
- 1.IRG4PH50UPBF.pdf2.IRG4PH50UPBF.pdf
Introdução
Especificações
| Condição | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origem | Contact us |
| Código de Marcação | Send by email |
| Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max): | 1200V |
| Vce (on) (Max) @ VGE, Ic: | 3.7V @ 15V, 24A |
| Condição de teste: | 960V, 24A, 5 Ohm, 15V |
| Td (ligar / desligar) @ 25 ° C: | 35ns/200ns |
| Alternando Energia: | 530µJ (on), 1.41mJ (off) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | TO-247AC |
| Série: | - |
| Power - Max: | 200W |
| Embalagem: | Bulk |
| Caixa / Gabinete: | TO-247-3 |
| Outros nomes: | *IRG4PH50UPBF SP001547832 |
| Temperatura de operação: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Through Hole |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Tipo de entrada: | Standard |
| Tipo de IGBT: | - |
| portão de carga: | 160nC |
| Descrição detalhada: | IGBT 1200V 45A 200W Through Hole TO-247AC |
| Atual - Collector Pulsada (ICM): | 180A |
| Atual - Collector (Ic) (Max): | 45A |
| Email: | [email protected] |
Peças relacionadas para IRG4PH50UPBF
Latest Notícias
- O ARM apareceu em Computex 2024: Espera -se que mais de 100 bilhões de dispositivos de braço possam ser usados para a IA até o final de 2025
- O Qorvo lançou as excelentes preliminares do setor 5G 5G MMIMO
- Inventário de ciclo de simulação para fora, a IA aciona a demanda de memória flash continua
- Plano da Micron de construir uma fábrica, a memória flash NAND a preços altos ou manutenção
- O desempenho da ADI é reduzido, os substratos de folha de cobre aumentaram, o armazenamento da fábrica original aumenta a produção conservadora
- A onda de inteligência no carro está chegando, e Aimus Oslang ajudou Sagita Juguang a libertar o MX Lidar
- A capacidade de produção de HBM é excluída, a memória DRAM pode estar em falta na segunda metade do ano
- Os fundadores da parede terminarão, HBM ou farão com que o DRAM suba novamente
- Demanda de expansão de telefone e PC da IA, melhoria da indústria de fabricação de semicondutores globais
- Entenda as necessidades dos ADAS e sistemas de monitoramento de cabine para sensores de imagem de segurança de rede
- Há rumores de que Samsung e Sk Hynix pararam o DDR3, e a citação de promoção aumentou 20 %
- Melexis lançado MLX90427: Controle de linha para nova escolha, segura, eficiente e econômica