IRFU220BTU_FP001
IRFU220BTU_FP001
Modelo do Produto:
IRFU220BTU_FP001
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET N-CH 200V 4.6A IPAK
Status sem chumbo:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
44235 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Tempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de dados:
IRFU220BTU_FP001.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Original, tested
País de origem Contact us
Código de Marcação Send by email
VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:I-PAK
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:800 mOhm @ 2.3A, 10V
Dissipação de energia (Max):2.5W (Ta), 40W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:390pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:16nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):200V
Descrição detalhada:N-Channel 200V 4.6A (Tc) 2.5W (Ta), 40W (Tc) Through Hole I-PAK
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:4.6A (Tc)
Email:[email protected]

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