IRFM220BTF_FP001
Modelo do Produto:
IRFM220BTF_FP001
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET N-CH 200V 1.13A SOT-223
Status sem chumbo:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
59521 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Tempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de dados:
1.IRFM220BTF_FP001.pdf2.IRFM220BTF_FP001.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Original, tested
País de origem Contact us
Código de Marcação Send by email
VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:SOT-223-4
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:800 mOhm @ 570mA, 10V
Dissipação de energia (Max):2.4W (Ta)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:TO-261-4, TO-261AA
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:390pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:16nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):200V
Descrição detalhada:N-Channel 200V 1.13A (Tc) 2.4W (Ta) Surface Mount SOT-223-4
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:1.13A (Tc)
Email:[email protected]

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