IRFH5303TR2PBF
IRFH5303TR2PBF
Modelo do Produto:
IRFH5303TR2PBF
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrição:
MOSFET N-CH 30V 82A 5X6 PQFN
Status sem chumbo:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
21663 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Tempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de dados:
IRFH5303TR2PBF.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Original, tested
País de origem Contact us
Código de Marcação Send by email
VGS (th) (Max) @ Id:2.35V @ 50µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:8-PQFN (5x6)
Série:HEXFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:4.2 mOhm @ 49A, 10V
Dissipação de energia (Max):3.6W (Ta), 46W (Tc)
Embalagem:Original-Reel®
Caixa / Gabinete:8-PowerVDFN
Outros nomes:IRFH5303TR2PBFDKR
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2190pF @ 15V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:41nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):30V
Descrição detalhada:N-Channel 30V 23A (Ta), 82A (Tc) 3.6W (Ta), 46W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:23A (Ta), 82A (Tc)
Email:[email protected]

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