IRF7459PBF
IRF7459PBF
Modelo do Produto:
IRF7459PBF
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrição:
MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC
Status sem chumbo:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
39618 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Tempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de dados:
IRF7459PBF.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Original, tested
País de origem Contact us
Código de Marcação Send by email
VGS (th) (Max) @ Id:2V @ 250µA
Vgs (Max):±12V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:8-SO
Série:HEXFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:9 mOhm @ 12A, 10V
Dissipação de energia (Max):2.5W (Ta)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Outros nomes:SP001572154
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2480pF @ 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:35nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):2.8V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):20V
Descrição detalhada:N-Channel 20V 12A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:12A (Ta)
Email:[email protected]

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