IRF520N
IRF520N
Modelo do Produto:
IRF520N
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrição:
MOSFET N-CH 100V 9.7A TO-220AB
Status sem chumbo:
Contém chumbo / RoHS não compatível
Quantidade em estoque:
21947 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Tempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de dados:
IRF520N.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Original, tested
País de origem Contact us
Código de Marcação Send by email
VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-220AB
Série:HEXFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:200 mOhm @ 5.7A, 10V
Dissipação de energia (Max):48W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-220-3
Outros nomes:*IRF520N
SP001571320
Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Contains lead / RoHS non-compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:330pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:25nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):100V
Descrição detalhada:N-Channel 100V 9.7A (Tc) 48W (Tc) Through Hole TO-220AB
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:9.7A (Tc)
Email:[email protected]

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