IR02BH680K está disponível agora!A tecnologia LYNTEAM é o distribuidor de meia para IR02BH680K, temos as ações para envio imediato e também disponível por um longo período de tempo.Por favor, envie-nos o seu plano de compra para IR02BH680K por e-mail, vamos dar-lhe um melhor preço de acordo com o seu plano.
Compre IR02BH680K com LYNTEAM, economize seu dinheiro e tempo.
Nosso email: [email protected]
IR02BH680K
- Modelo do Produto:
- IR02BH680K
- Fabricante:
- Dale / Vishay
- Descrição:
- IR-2 68 10% B08
- Status sem chumbo:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade em estoque:
- 56231 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days
- Tempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de dados:
- IR02BH680K.pdf
Introdução
Especificações
| Condição | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origem | Contact us |
| Código de Marcação | Send by email |
| Digitar: | - |
| Tolerância: | ±10% |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | Axial |
| Tamanho / Dimensão: | 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm) |
| blindagem: | Unshielded |
| Série: | IR |
| classificações: | - |
| Q @ Freq: | 50 @ 2.5MHz |
| Embalagem: | - |
| Caixa / Gabinete: | Axial |
| Temperatura de operação: | -55°C ~ 105°C |
| Tipo de montagem: | Through Hole |
| Material - Core: | Ferrite |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frequência de Indutância - Teste: | 2.5MHz |
| Indutância: | 68µH |
| Altura - Sentado (Max): | - |
| Frequência - auto-ressonante: | 15MHz |
| Características: | - |
| Descrição detalhada: | 68µH Unshielded Inductor 92mA 6.7 Ohm Max Axial |
| Resistência DC (DCR): | 6.7 Ohm Max |
| Potência nominal: | 92mA |
| Atual - Saturação: | - |
| Email: | [email protected] |
Peças relacionadas para IR02BH680K
Latest Notícias
- O ARM apareceu em Computex 2024: Espera -se que mais de 100 bilhões de dispositivos de braço possam ser usados para a IA até o final de 2025
- O Qorvo lançou as excelentes preliminares do setor 5G 5G MMIMO
- Inventário de ciclo de simulação para fora, a IA aciona a demanda de memória flash continua
- Plano da Micron de construir uma fábrica, a memória flash NAND a preços altos ou manutenção
- O desempenho da ADI é reduzido, os substratos de folha de cobre aumentaram, o armazenamento da fábrica original aumenta a produção conservadora
- A onda de inteligência no carro está chegando, e Aimus Oslang ajudou Sagita Juguang a libertar o MX Lidar
- A capacidade de produção de HBM é excluída, a memória DRAM pode estar em falta na segunda metade do ano
- Os fundadores da parede terminarão, HBM ou farão com que o DRAM suba novamente
- Demanda de expansão de telefone e PC da IA, melhoria da indústria de fabricação de semicondutores globais
- Entenda as necessidades dos ADAS e sistemas de monitoramento de cabine para sensores de imagem de segurança de rede
- Há rumores de que Samsung e Sk Hynix pararam o DDR3, e a citação de promoção aumentou 20 %
- Melexis lançado MLX90427: Controle de linha para nova escolha, segura, eficiente e econômica