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IPSH6N03LA G
- Modelo do Produto:
- IPSH6N03LA G
- Descrição:
- MOSFET N-CH 25V 50A IPAK
- Status sem chumbo:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade em estoque:
- 38720 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days
- Tempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de dados:
- IPSH6N03LA G.pdf
Introdução
Especificações
| Condição | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origem | Contact us |
| Código de Marcação | Send by email |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 2V @ 30µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | PG-TO251-3 |
| Série: | OptiMOS™ |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 6.2 mOhm @ 50A, 10V |
| Dissipação de energia (Max): | 71W (Tc) |
| Embalagem: | Tube |
| Caixa / Gabinete: | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
| Outros nomes: | IPSH6N03LA G-ND IPSH6N03LAG IPSH6N03LAGX SP000075257 |
| Temperatura de operação: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Through Hole |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 2390pF @ 15V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 19nC @ 5V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica FET: | - |
| Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado): | 4.5V, 10V |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 25V |
| Descrição detalhada: | N-Channel 25V 50A (Tc) 71W (Tc) Through Hole PG-TO251-3 |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 50A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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