IPP083N10N5AKSA1
IPP083N10N5AKSA1
Modelo do Produto:
IPP083N10N5AKSA1
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrição:
MOSFET N-CH TO220-3
Status sem chumbo:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
40304 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Tempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de dados:
IPP083N10N5AKSA1.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Original, tested
País de origem Contact us
Código de Marcação Send by email
VGS (th) (Max) @ Id:3.8V @ 49µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:PG-TO-220-3
Série:OptiMOS™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:8.3 mOhm @ 73A, 10V
Dissipação de energia (Max):100W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-220-3
Outros nomes:SP001226036
Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2730pF @ 50V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:37nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):6V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):100V
Descrição detalhada:N-Channel 100V 73A (Tc) 100W (Tc) Through Hole PG-TO-220-3
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:73A (Tc)
Email:[email protected]

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