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IPI65R420CFDXKSA1
- Modelo do Produto:
- IPI65R420CFDXKSA1
- Descrição:
- MOSFET N-CH 650V 8.7A TO262
- Status sem chumbo:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade em estoque:
- 47378 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days
- Tempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de dados:
- IPI65R420CFDXKSA1.pdf
Introdução
Especificações
| Condição | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origem | Contact us |
| Código de Marcação | Send by email |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 4.5V @ 340µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | PG-TO262-3 |
| Série: | CoolMOS™ |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 420 mOhm @ 3.4A, 10V |
| Dissipação de energia (Max): | 83.3W (Tc) |
| Embalagem: | Tube |
| Caixa / Gabinete: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Outros nomes: | IPI65R420CFD IPI65R420CFD-ND SP000891702 |
| Temperatura de operação: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Through Hole |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 870pF @ 100V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 32nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica FET: | - |
| Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado): | 10V |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 650V |
| Descrição detalhada: | N-Channel 650V 8.7A (Tc) 83.3W (Tc) Through Hole PG-TO262-3 |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 8.7A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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