INA188IDRJR está disponível agora!A tecnologia LYNTEAM é o distribuidor de meia para INA188IDRJR, temos as ações para envio imediato e também disponível por um longo período de tempo.Por favor, envie-nos o seu plano de compra para INA188IDRJR por e-mail, vamos dar-lhe um melhor preço de acordo com o seu plano.
Compre INA188IDRJR com LYNTEAM, economize seu dinheiro e tempo.
Nosso email: [email protected]
INA188IDRJR
- Modelo do Produto:
- INA188IDRJR
- Fabricante:
- TI
- Descrição:
- IC OP AMP R-R OUT ZD 8SON
- Status sem chumbo:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade em estoque:
- 33891 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days
- Tempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de dados:
- INA188IDRJR.pdf
Introdução
Especificações
| Condição | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origem | Contact us |
| Código de Marcação | Send by email |
| Alimentação de tensão, Single / Dual (±): | 4 V ~ 36 V, ±2 V ~ 18 V |
| Tensão - decalagem: | 25µV |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | 8-SON (4x4) |
| Taxa de excursão: | 0.9 V/µs |
| Série: | - |
| Embalagem: | Original-Reel® |
| Caixa / Gabinete: | 8-WDFN Exposed Pad |
| Tipo de saída: | Rail-to-Rail |
| Outros nomes: | 296-46939-6 |
| Temperatura de operação: | -40°C ~ 125°C |
| Número de circuitos: | 1 |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 2 (1 Year) |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Descrição detalhada: | Zero-Drift Amplifier 1 Circuit Rail-to-Rail 8-SON (4x4) |
| Atual - Fornecimento: | 1.4mA |
| Atual - Saída / Canal: | 18mA |
| Atual - Input Bias: | 850pA |
| Tipo amplificador: | Zero-Drift |
| -3db Bandwidth: | 600kHz |
| Email: | [email protected] |
Peças relacionadas para INA188IDRJR
Latest Notícias
- O Qorvo lançou as excelentes preliminares do setor 5G 5G MMIMO
- Inventário de ciclo de simulação para fora, a IA aciona a demanda de memória flash continua
- Plano da Micron de construir uma fábrica, a memória flash NAND a preços altos ou manutenção
- O desempenho da ADI é reduzido, os substratos de folha de cobre aumentaram, o armazenamento da fábrica original aumenta a produção conservadora
- A onda de inteligência no carro está chegando, e Aimus Oslang ajudou Sagita Juguang a libertar o MX Lidar
- A capacidade de produção de HBM é excluída, a memória DRAM pode estar em falta na segunda metade do ano
- Os fundadores da parede terminarão, HBM ou farão com que o DRAM suba novamente
- Demanda de expansão de telefone e PC da IA, melhoria da indústria de fabricação de semicondutores globais
- Entenda as necessidades dos ADAS e sistemas de monitoramento de cabine para sensores de imagem de segurança de rede
- Há rumores de que Samsung e Sk Hynix pararam o DDR3, e a citação de promoção aumentou 20 %
- Melexis lançado MLX90427: Controle de linha para nova escolha, segura, eficiente e econômica
- O Relatório Financeiro da NXP e Ansonmei anunciou, e o preço dos preços de cobre é transmitido ao setor de IC