IMH21T110
IMH21T110
Modelo do Produto:
IMH21T110
Fabricante:
LAPIS Semiconductor
Descrição:
TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6
Status sem chumbo:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
48909 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Tempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de dados:
1.IMH21T110.pdf2.IMH21T110.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Original, tested
País de origem Contact us
Código de Marcação Send by email
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):20V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic:150mV @ 2.5mA, 50mA
Tipo transistor:2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Embalagem do dispositivo fornecedor:SMT6
Série:-
Resistor - Base do Emissor (R2):-
Resistor - Base (R1):10 kOhms
Power - Max:300mW
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:SC-74, SOT-457
Outros nomes:IMH21T110-ND
IMH21T110TR
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:10 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Frequência - Transição:150MHz
Descrição detalhada:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 20V 600mA 150MHz 300mW Surface Mount SMT6
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce:820 @ 50mA, 5V
Atual - Collector Cutoff (Max):500nA (ICBO)
Atual - Collector (Ic) (Max):600mA
Número da peça base:*MH21
Email:[email protected]

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