IHW30N90TFKSA1 está disponível agora!A tecnologia LYNTEAM é o distribuidor de meia para IHW30N90TFKSA1, temos as ações para envio imediato e também disponível por um longo período de tempo.Por favor, envie-nos o seu plano de compra para IHW30N90TFKSA1 por e-mail, vamos dar-lhe um melhor preço de acordo com o seu plano.
Compre IHW30N90TFKSA1 com LYNTEAM, economize seu dinheiro e tempo.
Nosso email: [email protected]
IHW30N90TFKSA1
- Modelo do Produto:
- IHW30N90TFKSA1
- Descrição:
- IGBT 900V 60A 428W TO247-3
- Status sem chumbo:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade em estoque:
- 42986 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days
- Tempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de dados:
- IHW30N90TFKSA1.pdf
Introdução
Especificações
| Condição | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origem | Contact us |
| Código de Marcação | Send by email |
| Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max): | 900V |
| Vce (on) (Max) @ VGE, Ic: | 1.7V @ 15V, 30A |
| Condição de teste: | 600V, 30A, 15 Ohm, 15V |
| Td (ligar / desligar) @ 25 ° C: | 45ns/556ns |
| Alternando Energia: | 1.8mJ (off) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | PG-TO247-3 |
| Série: | TrenchStop® |
| Power - Max: | 428W |
| Embalagem: | Tube |
| Caixa / Gabinete: | TO-247-3 |
| Outros nomes: | IHW30N90T IHW30N90T-ND SP000076322 |
| Temperatura de operação: | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Through Hole |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Tipo de entrada: | Standard |
| Tipo de IGBT: | Trench Field Stop |
| portão de carga: | 280nC |
| Descrição detalhada: | IGBT Trench Field Stop 900V 60A 428W Through Hole PG-TO247-3 |
| Atual - Collector Pulsada (ICM): | 90A |
| Atual - Collector (Ic) (Max): | 60A |
| Email: | [email protected] |
Peças relacionadas para IHW30N90TFKSA1
Latest Notícias
- Plano da Micron de construir uma fábrica, a memória flash NAND a preços altos ou manutenção
- O desempenho da ADI é reduzido, os substratos de folha de cobre aumentaram, o armazenamento da fábrica original aumenta a produção conservadora
- A onda de inteligência no carro está chegando, e Aimus Oslang ajudou Sagita Juguang a libertar o MX Lidar
- A capacidade de produção de HBM é excluída, a memória DRAM pode estar em falta na segunda metade do ano
- Os fundadores da parede terminarão, HBM ou farão com que o DRAM suba novamente
- Demanda de expansão de telefone e PC da IA, melhoria da indústria de fabricação de semicondutores globais
- Entenda as necessidades dos ADAS e sistemas de monitoramento de cabine para sensores de imagem de segurança de rede
- Há rumores de que Samsung e Sk Hynix pararam o DDR3, e a citação de promoção aumentou 20 %
- Melexis lançado MLX90427: Controle de linha para nova escolha, segura, eficiente e econômica
- O Relatório Financeiro da NXP e Ansonmei anunciou, e o preço dos preços de cobre é transmitido ao setor de IC
- A MOELS Micro Electronics criou um novo escritório em Taiwan, China para expandir o território comercial
- O desempenho dos instrumentos do Texas ainda está para ser impulsionado, e as duas fábricas de armazenamento empurram novos produtos de memória flash