HF30ACB322513-T está disponível agora!A tecnologia LYNTEAM é o distribuidor de meia para HF30ACB322513-T, temos as ações para envio imediato e também disponível por um longo período de tempo.Por favor, envie-nos o seu plano de compra para HF30ACB322513-T por e-mail, vamos dar-lhe um melhor preço de acordo com o seu plano.
Compre HF30ACB322513-T com LYNTEAM, economize seu dinheiro e tempo.
Nosso email: [email protected]
HF30ACB322513-T
- Modelo do Produto:
- HF30ACB322513-T
- Fabricante:
- TDK Corporation
- Descrição:
- FERRITE BEAD 31 OHM 1210 1LN
- Status sem chumbo:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade em estoque:
- 24248 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days
- Tempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de dados:
- HF30ACB322513-T.pdf
Introdução
Especificações
| Condição | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origem | Contact us |
| Código de Marcação | Send by email |
| Tamanho / Dimensão: | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm) |
| Série: | HF-ACB |
| classificações: | - |
| Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete: | 1210 (3225 Metric) |
| Outros nomes: | 445-6162-2 HF30ACB322513T |
| Temperatura de operação: | -40°C ~ 125°C |
| Número de linhas: | 1 |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Impedância @ Frequency: | 31 Ohms @ 100MHz |
| Altura (Max): | 0.059" (1.50mm) |
| Tipo de filtro: | Signal Line |
| Resistência DC (DCR) (máx.): | 300 mOhm |
| Cartão Espessura (mm): | 400mA |
| Email: | [email protected] |
Peças relacionadas para HF30ACB322513-T
Latest Notícias
- Plano da Micron de construir uma fábrica, a memória flash NAND a preços altos ou manutenção
- O desempenho da ADI é reduzido, os substratos de folha de cobre aumentaram, o armazenamento da fábrica original aumenta a produção conservadora
- A onda de inteligência no carro está chegando, e Aimus Oslang ajudou Sagita Juguang a libertar o MX Lidar
- A capacidade de produção de HBM é excluída, a memória DRAM pode estar em falta na segunda metade do ano
- Os fundadores da parede terminarão, HBM ou farão com que o DRAM suba novamente
- Demanda de expansão de telefone e PC da IA, melhoria da indústria de fabricação de semicondutores globais
- Entenda as necessidades dos ADAS e sistemas de monitoramento de cabine para sensores de imagem de segurança de rede
- Há rumores de que Samsung e Sk Hynix pararam o DDR3, e a citação de promoção aumentou 20 %
- Melexis lançado MLX90427: Controle de linha para nova escolha, segura, eficiente e econômica
- O Relatório Financeiro da NXP e Ansonmei anunciou, e o preço dos preços de cobre é transmitido ao setor de IC
- A MOELS Micro Electronics criou um novo escritório em Taiwan, China para expandir o território comercial
- O desempenho dos instrumentos do Texas ainda está para ser impulsionado, e as duas fábricas de armazenamento empurram novos produtos de memória flash