HB11G0FZRE está disponível agora!A tecnologia LYNTEAM é o distribuidor de meia para HB11G0FZRE, temos as ações para envio imediato e também disponível por um longo período de tempo.Por favor, envie-nos o seu plano de compra para HB11G0FZRE por e-mail, vamos dar-lhe um melhor preço de acordo com o seu plano.
Compre HB11G0FZRE com LYNTEAM, economize seu dinheiro e tempo.
Nosso email: [email protected]
HB11G0FZRE
- Modelo do Produto:
- HB11G0FZRE
- Fabricante:
- AMP Connectors / TE Connectivity
- Descrição:
- RES 1.00G OHM 2W 1% RADIAL
- Status sem chumbo:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade em estoque:
- 38652 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days
- Tempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de dados:
- 1.HB11G0FZRE.pdf2.HB11G0FZRE.pdf
Introdução
Especificações
| Condição | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origem | Contact us |
| Código de Marcação | Send by email |
| Tolerância: | ±1% |
| Coeficiente de temperatura: | ±100ppm/°C |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | Radial Lead |
| Tamanho / Dimensão: | 1.043" L x 0.118" W (26.50mm x 3.00mm) |
| Série: | HB, CGS |
| Modo de painel: | 1 GOhms |
| Potência (Watts): | 2W |
| Embalagem: | Bulk |
| Caixa / Gabinete: | Radial |
| Outros nomes: | 1-1625958-2 1-1625958-2-ND 116259582 A105651 |
| Temperatura de operação: | -55°C ~ 125°C |
| Número de terminações: | 2 |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 29 Weeks |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Altura - Sentado (Max): | 0.409" (10.40mm) |
| Características: | High Voltage, Pulse Withstanding |
| Taxa de falha: | - |
| Descrição detalhada: | 1 GOhms ±1% 2W Through Hole Resistor Radial High Voltage, Pulse Withstanding Thick Film |
| Composição: | Thick Film |
| Email: | [email protected] |
Peças relacionadas para HB11G0FZRE
Latest Notícias
- O ARM apareceu em Computex 2024: Espera -se que mais de 100 bilhões de dispositivos de braço possam ser usados para a IA até o final de 2025
- O Qorvo lançou as excelentes preliminares do setor 5G 5G MMIMO
- Inventário de ciclo de simulação para fora, a IA aciona a demanda de memória flash continua
- Plano da Micron de construir uma fábrica, a memória flash NAND a preços altos ou manutenção
- O desempenho da ADI é reduzido, os substratos de folha de cobre aumentaram, o armazenamento da fábrica original aumenta a produção conservadora
- A onda de inteligência no carro está chegando, e Aimus Oslang ajudou Sagita Juguang a libertar o MX Lidar
- A capacidade de produção de HBM é excluída, a memória DRAM pode estar em falta na segunda metade do ano
- Os fundadores da parede terminarão, HBM ou farão com que o DRAM suba novamente
- Demanda de expansão de telefone e PC da IA, melhoria da indústria de fabricação de semicondutores globais
- Entenda as necessidades dos ADAS e sistemas de monitoramento de cabine para sensores de imagem de segurança de rede
- Há rumores de que Samsung e Sk Hynix pararam o DDR3, e a citação de promoção aumentou 20 %
- Melexis lançado MLX90427: Controle de linha para nova escolha, segura, eficiente e econômica