H11G46 está disponível agora!A tecnologia LYNTEAM é o distribuidor de meia para H11G46, temos as ações para envio imediato e também disponível por um longo período de tempo.Por favor, envie-nos o seu plano de compra para H11G46 por e-mail, vamos dar-lhe um melhor preço de acordo com o seu plano.
Compre H11G46 com LYNTEAM, economize seu dinheiro e tempo.
Nosso email: [email protected]
H11G46
- Modelo do Produto:
- H11G46
- Fabricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descrição:
- PHOTO DARLINGTON OPTOISOLATOR
- Status sem chumbo:
- Contém chumbo / RoHS não compatível
- Quantidade em estoque:
- 38358 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days
- Tempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de dados:
- H11G46.pdf
Introdução
Especificações
| Condição | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origem | Contact us |
| Código de Marcação | Send by email |
| Tensão - Saída (Max): | 55V |
| Tensão - Isolamento: | 3750Vrms |
| Voltagem - Avanço (Vf) (Tipo): | - |
| Vce Saturação (Max): | - |
| Ativar / Desativar o Tempo (Typ): | - |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | 6-DIP |
| Série: | - |
| Aumento / tempo de queda (típico): | - |
| Embalagem: | Tube |
| Caixa / Gabinete: | 6-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Tipo de saída: | Darlington with Base |
| Outros nomes: | H11G46GE H11G46QT |
| Temperatura de operação: | - |
| Número de canais: | 1 |
| Tipo de montagem: | Through Hole |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Tipo de entrada: | DC |
| Descrição detalhada: | Optoisolator Darlington with Base Output 3750Vrms 1 Channel 6-DIP |
| Taxa de transferência de corrente (Min): | 350% @ 500µA |
| Taxa de transferência de corrente (máx): | - |
| Atual - Saída / Canal: | 60mA |
| Corrente - Avanço DC (Se) (Máx.): | 60mA |
| Email: | [email protected] |
Peças relacionadas para H11G46
Latest Notícias
- A capacidade de produção de HBM é excluída, a memória DRAM pode estar em falta na segunda metade do ano
- Os fundadores da parede terminarão, HBM ou farão com que o DRAM suba novamente
- Demanda de expansão de telefone e PC da IA, melhoria da indústria de fabricação de semicondutores globais
- Entenda as necessidades dos ADAS e sistemas de monitoramento de cabine para sensores de imagem de segurança de rede
- Há rumores de que Samsung e Sk Hynix pararam o DDR3, e a citação de promoção aumentou 20 %
- Melexis lançado MLX90427: Controle de linha para nova escolha, segura, eficiente e econômica
- O Relatório Financeiro da NXP e Ansonmei anunciou, e o preço dos preços de cobre é transmitido ao setor de IC
- A MOELS Micro Electronics criou um novo escritório em Taiwan, China para expandir o território comercial
- O desempenho dos instrumentos do Texas ainda está para ser impulsionado, e as duas fábricas de armazenamento empurram novos produtos de memória flash
- O relatório financeiro do primeiro trimestre do semicondutor SEF (ST) diminui, e a demanda por automóveis diminuiu a velocidade
- O desempenho dos instrumentos do Texas ainda está para ser impulsionado, e as duas fábricas de armazenamento empurram novos produtos de memória flash
- Volume local de chip maduro, capacidade de produção de memória flash samsung nand próxima à carga