GP2M008A060HG
GP2M008A060HG
Modelo do Produto:
GP2M008A060HG
Fabricante:
Global Power Technologies Group
Descrição:
MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220
Status sem chumbo:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
45954 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Tempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de dados:
GP2M008A060HG.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Original, tested
País de origem Contact us
Código de Marcação Send by email
VGS (th) (Max) @ Id:5V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-220
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:1.2 Ohm @ 3.75A, 10V
Dissipação de energia (Max):120W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:TO-220-3
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1063pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:23nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):600V
Descrição detalhada:N-Channel 600V 7.5A (Tc) 120W (Tc) Through Hole TO-220
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:7.5A (Tc)
Email:[email protected]

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