FQPF18N50V2
FQPF18N50V2
Modelo do Produto:
FQPF18N50V2
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET N-CH 500V 18A TO-220F
Status sem chumbo:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
56817 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Tempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de dados:
FQPF18N50V2.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Original, tested
País de origem Contact us
Código de Marcação Send by email
VGS (th) (Max) @ Id:5V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-220F
Série:QFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:265 mOhm @ 9A, 10V
Dissipação de energia (Max):69W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:TO-220-3 Full Pack
Outros nomes:Q2658628
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:3290pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:55nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):500V
Descrição detalhada:N-Channel 500V 18A (Tc) 69W (Tc) Through Hole TO-220F
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:18A (Tc)
Email:[email protected]

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