FQP4P25
Modelo do Produto:
FQP4P25
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET P-CH 250V 4A TO-220
Status sem chumbo:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
20363 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Tempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de dados:
1.FQP4P25.pdf2.FQP4P25.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Original, tested
País de origem Contact us
Código de Marcação Send by email
VGS (th) (Max) @ Id:5V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-220-3
Série:QFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:2.1 Ohm @ 2A, 10V
Dissipação de energia (Max):75W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-220-3
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:420pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:14nC @ 10V
Tipo FET:P-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):250V
Descrição detalhada:P-Channel 250V 4A (Tc) 75W (Tc) Through Hole TO-220-3
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:4A (Tc)
Email:[email protected]

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