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FJV3105RMTF
- Modelo do Produto:
- FJV3105RMTF
- Fabricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descrição:
- TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
- Status sem chumbo:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade em estoque:
- 49704 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days
- Tempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de dados:
- 1.FJV3105RMTF.pdf2.FJV3105RMTF.pdf
Introdução
Especificações
| Condição | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origem | Contact us |
| Código de Marcação | Send by email |
| Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max): | 50V |
| Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic: | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Tipo transistor: | NPN - Pre-Biased |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | SOT-23-3 (TO-236) |
| Série: | - |
| Resistor - Base do Emissor (R2): | 10 kOhms |
| Resistor - Base (R1): | 4.7 kOhms |
| Power - Max: | 200mW |
| Embalagem: | Cut Tape (CT) |
| Caixa / Gabinete: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Outros nomes: | FJV3105RMTFCT |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 13 Weeks |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frequência - Transição: | 250MHz |
| Descrição detalhada: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) |
| DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce: | 30 @ 5mA, 5V |
| Atual - Collector Cutoff (Max): | 100nA (ICBO) |
| Atual - Collector (Ic) (Max): | 100mA |
| Número da peça base: | FJV3105 |
| Email: | [email protected] |
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