FF450R12IE4BOSA2 está disponível agora!A tecnologia LYNTEAM é o distribuidor de meia para FF450R12IE4BOSA2, temos as ações para envio imediato e também disponível por um longo período de tempo.Por favor, envie-nos o seu plano de compra para FF450R12IE4BOSA2 por e-mail, vamos dar-lhe um melhor preço de acordo com o seu plano.
Compre FF450R12IE4BOSA2 com LYNTEAM, economize seu dinheiro e tempo.
Nosso email: [email protected]
FF450R12IE4BOSA2
- Modelo do Produto:
- FF450R12IE4BOSA2
- Descrição:
- IGBT MODULE VCES 600V 450A
- Quantidade em estoque:
- 33447 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days
- Tempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de dados:
- FF450R12IE4BOSA2.pdf
Introdução
Especificações
| Condição | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origem | Contact us |
| Código de Marcação | Send by email |
| Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max): | 1200V |
| Vce (on) (Max) @ VGE, Ic: | 2.05V @ 15V, 450A |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | Module |
| Série: | - |
| Power - Max: | 2550W |
| Caixa / Gabinete: | Module |
| Outros nomes: | FF450R12IE4 FF450R12IE4-ND SP000609746 |
| Temperatura de operação: | -40°C ~ 150°C |
| NTC Thermistor: | Yes |
| Tipo de montagem: | Chassis Mount |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 26 Weeks |
| Capacitância de entrada (Cies) @ Vce: | 27nF @ 25V |
| Entrada: | Standard |
| Tipo de IGBT: | Trench Field Stop |
| Descrição detalhada: | IGBT Module Trench Field Stop 2 Independent 1200V 450A 2550W Chassis Mount Module |
| Atual - Collector Cutoff (Max): | 5mA |
| Atual - Collector (Ic) (Max): | 450A |
| Configuração: | 2 Independent |
| Email: | [email protected] |
Peças relacionadas para FF450R12IE4BOSA2
Latest Notícias
- O Relatório Financeiro da NXP e Ansonmei anunciou, e o preço dos preços de cobre é transmitido ao setor de IC
- A MOELS Micro Electronics criou um novo escritório em Taiwan, China para expandir o território comercial
- O desempenho dos instrumentos do Texas ainda está para ser impulsionado, e as duas fábricas de armazenamento empurram novos produtos de memória flash
- O relatório financeiro do primeiro trimestre do semicondutor SEF (ST) diminui, e a demanda por automóveis diminuiu a velocidade
- O desempenho dos instrumentos do Texas ainda está para ser impulsionado, e as duas fábricas de armazenamento empurram novos produtos de memória flash
- Volume local de chip maduro, capacidade de produção de memória flash samsung nand próxima à carga
- Vishay lança uma embalagem minilada de alto brilho azul e verde puro LED
- Ansonmei lançou um sensor de posição indutiva para o mercado industrial e de transporte
- Ruisa inicia a antiga fábrica para aumentar o dispositivo de energia, o terremoto afeta a saída de DRAM leve
- O microchip permite a capacidade de produção do TSMC e aumenta os aumentos de preços
- Ruisa lançou a nova série RA0 Ultra -Low Power Entry -Lvel MCU
- Melexis lança um chip de comutação indutor integrado completo