FDZ201N
Modelo do Produto:
FDZ201N
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET N-CH 20V 9A BGA
Status sem chumbo:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
32227 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Tempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de dados:
FDZ201N.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Original, tested
País de origem Contact us
Código de Marcação Send by email
VGS (th) (Max) @ Id:1.5V @ 250µA
Vgs (Max):±12V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:12-BGA (2x2.5)
Série:PowerTrench®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:18 mOhm @ 9A, 4.5V
Dissipação de energia (Max):2W (Ta)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:12-WFBGA
Outros nomes:FDZ201N-ND
FDZ201NTR
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1127pF @ 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:15nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):2.5V, 4.5V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):20V
Descrição detalhada:N-Channel 20V 9A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 12-BGA (2x2.5)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:9A (Ta)
Email:[email protected]

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