FDT439N
Modelo do Produto:
FDT439N
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET N-CH 30V 6.3A SOT-223
Status sem chumbo:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
53711 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Tempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de dados:
1.FDT439N.pdf2.FDT439N.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Original, tested
País de origem Contact us
Código de Marcação Send by email
VGS (th) (Max) @ Id:1V @ 250µA
Vgs (Max):±8V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:SOT-223-4
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:45 mOhm @ 6.3A, 4.5V
Dissipação de energia (Max):3W (Ta)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:TO-261-4, TO-261AA
Outros nomes:FDT439N-ND
FDT439NTR
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:20 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:500pF @ 15V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:15nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):2.5V, 4.5V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):30V
Descrição detalhada:N-Channel 30V 6.3A (Ta) 3W (Ta) Surface Mount SOT-223-4
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:6.3A (Ta)
Email:[email protected]

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