FDSD0420D-100M=P3 está disponível agora!A tecnologia LYNTEAM é o distribuidor de meia para FDSD0420D-100M=P3, temos as ações para envio imediato e também disponível por um longo período de tempo.Por favor, envie-nos o seu plano de compra para FDSD0420D-100M=P3 por e-mail, vamos dar-lhe um melhor preço de acordo com o seu plano.
Compre FDSD0420D-100M=P3 com LYNTEAM, economize seu dinheiro e tempo.
Nosso email: [email protected]
FDSD0420D-100M=P3
- Modelo do Produto:
- FDSD0420D-100M=P3
- Fabricante:
- Murata Electronics
- Descrição:
- FIXED IND 10UH 1.7A 200 MOHM
- Status sem chumbo:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade em estoque:
- 53737 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days
- Tempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de dados:
- FDSD0420D-100M=P3.pdf
Introdução
Especificações
| Condição | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origem | Contact us |
| Código de Marcação | Send by email |
| Digitar: | - |
| Tolerância: | ±20% |
| Tamanho / Dimensão: | 0.165" L x 0.165" W (4.20mm x 4.20mm) |
| blindagem: | Shielded |
| Série: | FDS0420 |
| classificações: | AEC-Q200 |
| Q @ Freq: | - |
| Embalagem: | Cut Tape (CT) |
| Caixa / Gabinete: | Nonstandard |
| Outros nomes: | 490-13181-1 |
| Temperatura de operação: | - |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Material - Core: | Metal |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 13 Weeks |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frequência de Indutância - Teste: | 100kHz |
| Indutância: | 10µH |
| Altura - Sentado (Max): | 0.079" (2.00mm) |
| Frequência - auto-ressonante: | - |
| Descrição detalhada: | 10µH Shielded Inductor 1.7A 200 mOhm Max Nonstandard |
| Resistência DC (DCR): | 200 mOhm Max |
| Potência nominal: | 1.7A |
| Atual - Saturação: | 3.3A |
| Email: | [email protected] |
Peças relacionadas para FDSD0420D-100M=P3
Latest Notícias
- A capacidade de produção de HBM é excluída, a memória DRAM pode estar em falta na segunda metade do ano
- Os fundadores da parede terminarão, HBM ou farão com que o DRAM suba novamente
- Demanda de expansão de telefone e PC da IA, melhoria da indústria de fabricação de semicondutores globais
- Entenda as necessidades dos ADAS e sistemas de monitoramento de cabine para sensores de imagem de segurança de rede
- Há rumores de que Samsung e Sk Hynix pararam o DDR3, e a citação de promoção aumentou 20 %
- Melexis lançado MLX90427: Controle de linha para nova escolha, segura, eficiente e econômica
- O Relatório Financeiro da NXP e Ansonmei anunciou, e o preço dos preços de cobre é transmitido ao setor de IC
- A MOELS Micro Electronics criou um novo escritório em Taiwan, China para expandir o território comercial
- O desempenho dos instrumentos do Texas ainda está para ser impulsionado, e as duas fábricas de armazenamento empurram novos produtos de memória flash
- O relatório financeiro do primeiro trimestre do semicondutor SEF (ST) diminui, e a demanda por automóveis diminuiu a velocidade
- O desempenho dos instrumentos do Texas ainda está para ser impulsionado, e as duas fábricas de armazenamento empurram novos produtos de memória flash
- Volume local de chip maduro, capacidade de produção de memória flash samsung nand próxima à carga