FDMC8200S_F106
FDMC8200S_F106
Modelo do Produto:
FDMC8200S_F106
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET 2N-CH 30V 6A/8.5A 8MLP
Status sem chumbo:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
25045 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Tempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de dados:
FDMC8200S_F106.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Original, tested
País de origem Contact us
Código de Marcação Send by email
VGS (th) (Max) @ Id:3V @ 250µA
Embalagem do dispositivo fornecedor:8-Power33 (3x3)
Série:PowerTrench®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:20 mOhm @ 6A, 10V
Power - Max:700mW, 1W
Embalagem:Original-Reel®
Caixa / Gabinete:8-PowerWDFN
Outros nomes:FDMC8200S_F106DKR
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:660pF @ 15V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:10nC @ 10V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Característica FET:Logic Level Gate
Escorra a tensão de fonte (Vdss):30V
Descrição detalhada:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6A, 8.5A 700mW, 1W Surface Mount 8-Power33 (3x3)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:6A, 8.5A
Email:[email protected]

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