FDD3706
Modelo do Produto:
FDD3706
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET N-CH 20V 14.7A D-PAK
Status sem chumbo:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
30780 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Tempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de dados:
FDD3706.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Original, tested
País de origem Contact us
Código de Marcação Send by email
VGS (th) (Max) @ Id:1.5V @ 250µA
Vgs (Max):±12V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:D-PAK (TO-252AA)
Série:PowerTrench®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:9 mOhm @ 16.2A, 10V
Dissipação de energia (Max):3.8W (Ta), 44W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Outros nomes:FDD3706-ND
FDD3706FSTR
Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:13 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1882pF @ 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:23nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):2.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):20V
Descrição detalhada:N-Channel 20V 14.7A (Ta), 50A (Tc) 3.8W (Ta), 44W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-252AA)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:14.7A (Ta), 50A (Tc)
Email:[email protected]

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