FCPF190N60E
FCPF190N60E
Modelo do Produto:
FCPF190N60E
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET N-CH 600V TO-220-3
Status sem chumbo:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
24716 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Tempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de dados:
FCPF190N60E.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Original, tested
País de origem Contact us
Código de Marcação Send by email
VGS (th) (Max) @ Id:3.5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-220F-3
Série:SuperFET® II
RDS ON (Max) @ Id, VGS:190 mOhm @ 10A, 10V
Dissipação de energia (Max):39W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-220-3 Full Pack
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:52 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:3175pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:82nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):600V
Descrição detalhada:N-Channel 600V 20.6A (Tc) 39W (Tc) Through Hole TO-220F-3
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:20.6A (Tc)
Email:[email protected]

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