FCN1913G103J-E3 está disponível agora!A tecnologia LYNTEAM é o distribuidor de meia para FCN1913G103J-E3, temos as ações para envio imediato e também disponível por um longo período de tempo.Por favor, envie-nos o seu plano de compra para FCN1913G103J-E3 por e-mail, vamos dar-lhe um melhor preço de acordo com o seu plano.
Compre FCN1913G103J-E3 com LYNTEAM, economize seu dinheiro e tempo.
Nosso email: [email protected]
FCN1913G103J-E3
- Modelo do Produto:
- FCN1913G103J-E3
- Fabricante:
- Cornell Dubilier Electronics
- Descrição:
- CAP FILM 10000PF 5% 400VDC 1913
- Status sem chumbo:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade em estoque:
- 22274 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days
- Tempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de dados:
- FCN1913G103J-E3.pdf
Introdução
Especificações
| Condição | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origem | Contact us |
| Código de Marcação | Send by email |
| Regime de tensão - DC: | 400V |
| Regime de tensão - AC: | - |
| Tolerância: | ±5% |
| terminação: | Solder Pads |
| Tamanho / Dimensão: | 0.189" L x 0.130" W (4.80mm x 3.30mm) |
| Série: | FCN |
| classificações: | - |
| Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete: | 1913 (4833 Metric) |
| Outros nomes: | 338-2782-2 FCN1913G103J-E3-ND FCN1913G103JE3 |
| Temperatura de operação: | -40°C ~ 85°C |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 14 Weeks |
| Espaçamento de condutor: | - |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Altura - Sentado (Max): | 0.118" (3.00mm) |
| Características: | - |
| material dieléctrico: | Polyester, Polyethylene Naphthalate (PEN), Metallized - Stacked |
| Descrição detalhada: | 10000pF Film Capacitor 400V Polyester, Polyethylene Naphthalate (PEN), Metallized - Stacked 1913 (4833 Metric) |
| capacidade: | 10000pF |
| aplicações: | General Purpose |
| Email: | [email protected] |
Peças relacionadas para FCN1913G103J-E3
Latest Notícias
- O ARM apareceu em Computex 2024: Espera -se que mais de 100 bilhões de dispositivos de braço possam ser usados para a IA até o final de 2025
- O Qorvo lançou as excelentes preliminares do setor 5G 5G MMIMO
- Inventário de ciclo de simulação para fora, a IA aciona a demanda de memória flash continua
- Plano da Micron de construir uma fábrica, a memória flash NAND a preços altos ou manutenção
- O desempenho da ADI é reduzido, os substratos de folha de cobre aumentaram, o armazenamento da fábrica original aumenta a produção conservadora
- A onda de inteligência no carro está chegando, e Aimus Oslang ajudou Sagita Juguang a libertar o MX Lidar
- A capacidade de produção de HBM é excluída, a memória DRAM pode estar em falta na segunda metade do ano
- Os fundadores da parede terminarão, HBM ou farão com que o DRAM suba novamente
- Demanda de expansão de telefone e PC da IA, melhoria da indústria de fabricação de semicondutores globais
- Entenda as necessidades dos ADAS e sistemas de monitoramento de cabine para sensores de imagem de segurança de rede
- Há rumores de que Samsung e Sk Hynix pararam o DDR3, e a citação de promoção aumentou 20 %
- Melexis lançado MLX90427: Controle de linha para nova escolha, segura, eficiente e econômica