FCMT099N65S3
Modelo do Produto:
FCMT099N65S3
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET N-CH 650V 30A POWER88
Quantidade em estoque:
42099 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Tempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de dados:
FCMT099N65S3.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Original, tested
País de origem Contact us
Código de Marcação Send by email
VGS (th) (Max) @ Id:4.5V @ 3mA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:Power88
Série:SuperFET® III
RDS ON (Max) @ Id, VGS:99 mOhm @ 15A, 10V
Dissipação de energia (Max):227W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:4-PowerTSFN
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2270pF @ 400V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:56nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):650V
Descrição detalhada:N-Channel 650V 30A (Tc) 227W (Tc) Surface Mount Power88
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:30A (Tc)
Email:[email protected]

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