FCH47N60-F085 está disponível agora!A tecnologia LYNTEAM é o distribuidor de meia para FCH47N60-F085, temos as ações para envio imediato e também disponível por um longo período de tempo.Por favor, envie-nos o seu plano de compra para FCH47N60-F085 por e-mail, vamos dar-lhe um melhor preço de acordo com o seu plano.
Compre FCH47N60-F085 com LYNTEAM, economize seu dinheiro e tempo.
Nosso email: [email protected]
FCH47N60-F085
- Modelo do Produto:
- FCH47N60-F085
- Fabricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descrição:
- MOSFET N-CH 600V 47A TO-247
- Status sem chumbo:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade em estoque:
- 52003 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days
- Tempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de dados:
- FCH47N60-F085.pdf
Introdução
Especificações
| Condição | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origem | Contact us |
| Código de Marcação | Send by email |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 5V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±30V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | TO-247 |
| Série: | Automotive, AEC-Q101, SuperFET™ |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 79 mOhm @ 47A, 10V |
| Dissipação de energia (Max): | 417W (Tc) |
| Embalagem: | Tube |
| Caixa / Gabinete: | TO-247-3 |
| Outros nomes: | FCH47N60_F085 FCH47N60_F085-ND |
| Temperatura de operação: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Through Hole |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 8000pF @ 25V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 250nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica FET: | - |
| Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado): | 10V |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 600V |
| Descrição detalhada: | N-Channel 600V 47A (Tc) 417W (Tc) Through Hole TO-247 |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 47A (Tc) |
| Número da peça base: | FCH47N60 |
| Email: | [email protected] |
Peças relacionadas para FCH47N60-F085
Latest Notícias
- A capacidade de produção de HBM é excluída, a memória DRAM pode estar em falta na segunda metade do ano
- Os fundadores da parede terminarão, HBM ou farão com que o DRAM suba novamente
- Demanda de expansão de telefone e PC da IA, melhoria da indústria de fabricação de semicondutores globais
- Entenda as necessidades dos ADAS e sistemas de monitoramento de cabine para sensores de imagem de segurança de rede
- Há rumores de que Samsung e Sk Hynix pararam o DDR3, e a citação de promoção aumentou 20 %
- Melexis lançado MLX90427: Controle de linha para nova escolha, segura, eficiente e econômica
- O Relatório Financeiro da NXP e Ansonmei anunciou, e o preço dos preços de cobre é transmitido ao setor de IC
- A MOELS Micro Electronics criou um novo escritório em Taiwan, China para expandir o território comercial
- O desempenho dos instrumentos do Texas ainda está para ser impulsionado, e as duas fábricas de armazenamento empurram novos produtos de memória flash
- O relatório financeiro do primeiro trimestre do semicondutor SEF (ST) diminui, e a demanda por automóveis diminuiu a velocidade
- O desempenho dos instrumentos do Texas ainda está para ser impulsionado, e as duas fábricas de armazenamento empurram novos produtos de memória flash
- Volume local de chip maduro, capacidade de produção de memória flash samsung nand próxima à carga