FCA76N60N
FCA76N60N
Modelo do Produto:
FCA76N60N
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET N-CH 600V 76A TO-3PN
Status sem chumbo:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
37157 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Tempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de dados:
FCA76N60N.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Original, tested
País de origem Contact us
Código de Marcação Send by email
VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-3PN
Série:SupreMOS™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:36 mOhm @ 38A, 10V
Dissipação de energia (Max):543W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-3P-3, SC-65-3
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:12385pF @ 100V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:285nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):600V
Descrição detalhada:N-Channel 600V 76A (Tc) 543W (Tc) Through Hole TO-3PN
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:76A (Tc)
Email:[email protected]

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