F381A106MMAAH1 está disponível agora!A tecnologia LYNTEAM é o distribuidor de meia para F381A106MMAAH1, temos as ações para envio imediato e também disponível por um longo período de tempo.Por favor, envie-nos o seu plano de compra para F381A106MMAAH1 por e-mail, vamos dar-lhe um melhor preço de acordo com o seu plano.
Compre F381A106MMAAH1 com LYNTEAM, economize seu dinheiro e tempo.
Nosso email: [email protected]
F381A106MMAAH1
- Modelo do Produto:
- F381A106MMAAH1
- Fabricante:
- AVX Corporation
- Descrição:
- CAP TANT POLY 10UF 10V SMD
- Status sem chumbo:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade em estoque:
- 48761 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days
- Tempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de dados:
- F381A106MMAAH1.pdf
Introdução
Especificações
| Condição | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origem | Contact us |
| Código de Marcação | Send by email |
| Tensão - M: | 10V |
| Digitar: | Molded |
| Tolerância: | ±20% |
| Tamanho / Dimensão: | 0.063" L x 0.033" W (1.60mm x 0.85mm) |
| Série: | F38 |
| classificações: | - |
| Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete: | 0603 (1608 Metric) |
| Outros nomes: | 478-9701-2 |
| Temperatura de operação: | -55°C ~ 105°C |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 12 Weeks |
| Fabricante Código Tamanho: | M |
| Lifetime @ Temp.: | 1000 Hrs @ 85°C |
| Espaçamento de condutor: | - |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Altura - Sentado (Max): | 0.035" (0.90mm) |
| Características: | General Purpose |
| ESR (Equivalent Series Resistance): | 300 mOhm |
| Descrição detalhada: | 10µF Molded Tantalum Polymer Capacitor 10V 0603 (1608 Metric) 300 mOhm |
| capacidade: | 10µF |
| Email: | [email protected] |
Peças relacionadas para F381A106MMAAH1
Latest Notícias
- Plano da Micron de construir uma fábrica, a memória flash NAND a preços altos ou manutenção
- O desempenho da ADI é reduzido, os substratos de folha de cobre aumentaram, o armazenamento da fábrica original aumenta a produção conservadora
- A onda de inteligência no carro está chegando, e Aimus Oslang ajudou Sagita Juguang a libertar o MX Lidar
- A capacidade de produção de HBM é excluída, a memória DRAM pode estar em falta na segunda metade do ano
- Os fundadores da parede terminarão, HBM ou farão com que o DRAM suba novamente
- Demanda de expansão de telefone e PC da IA, melhoria da indústria de fabricação de semicondutores globais
- Entenda as necessidades dos ADAS e sistemas de monitoramento de cabine para sensores de imagem de segurança de rede
- Há rumores de que Samsung e Sk Hynix pararam o DDR3, e a citação de promoção aumentou 20 %
- Melexis lançado MLX90427: Controle de linha para nova escolha, segura, eficiente e econômica
- O Relatório Financeiro da NXP e Ansonmei anunciou, e o preço dos preços de cobre é transmitido ao setor de IC
- A MOELS Micro Electronics criou um novo escritório em Taiwan, China para expandir o território comercial
- O desempenho dos instrumentos do Texas ainda está para ser impulsionado, e as duas fábricas de armazenamento empurram novos produtos de memória flash