F321A226MAA está disponível agora!A tecnologia LYNTEAM é o distribuidor de meia para F321A226MAA, temos as ações para envio imediato e também disponível por um longo período de tempo.Por favor, envie-nos o seu plano de compra para F321A226MAA por e-mail, vamos dar-lhe um melhor preço de acordo com o seu plano.
Compre F321A226MAA com LYNTEAM, economize seu dinheiro e tempo.
Nosso email: [email protected]
F321A226MAA
- Modelo do Produto:
- F321A226MAA
- Fabricante:
- Nichicon
- Descrição:
- CAP TANT POLY 22UF 10V 1206
- Status sem chumbo:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade em estoque:
- 28455 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days
- Tempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de dados:
- F321A226MAA.pdf
Introdução
Especificações
| Condição | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origem | Contact us |
| Código de Marcação | Send by email |
| Tensão - M: | 10V |
| Digitar: | Molded |
| Tolerância: | ±20% |
| Tamanho / Dimensão: | 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm) |
| Série: | F32 |
| classificações: | - |
| Embalagem: | Original-Reel® |
| Caixa / Gabinete: | 1206 (3216 Metric) |
| Outros nomes: | 493-3153-6 |
| Temperatura de operação: | -55°C ~ 105°C |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Fabricante Código Tamanho: | A |
| Lifetime @ Temp.: | - |
| Espaçamento de condutor: | - |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Altura - Sentado (Max): | 0.071" (1.80mm) |
| Características: | General Purpose |
| ESR (Equivalent Series Resistance): | 180 mOhm |
| Descrição detalhada: | 22µF Molded Tantalum Polymer Capacitor 10V 1206 (3216 Metric) 180 mOhm |
| capacidade: | 22µF |
| Email: | [email protected] |
Peças relacionadas para F321A226MAA
| Imagem | Modelo do Produto | Fabricantes | Descrição | Visão |
|---|---|---|---|---|
 |
F320J686MBA | Nichicon | CAP TANT POLY 68UF 6.3V 1411 | inquérito |
 |
F320BJHEPTTL90 | Sharp Microelectronics | IC FLASH 32M PARALLEL 48TSOP | inquérito |
 |
F32K-327SJ4I | IDT (Integrated Device Technology) | OSCILLATOR | inquérito |
 |
F320E337MCC | Nichicon | CAP TANT POLY 330UF 2.5V 2312 | inquérito |
 |
F320G686MAA | Nichicon | CAP TANT POLY 68UF 4V 1206 | inquérito |
|
F321A157MCC | Nichicon | CAP TANT POLY 150UF 10V 2312 | inquérito |
 |
F321A476MBA | Nichicon | CAP TANT POLY 47UF 10V 1411 | inquérito |
|
F320G337MCC | Nichicon | CAP TANT POLY 330UF 4V 2312 | inquérito |
|
F320G227MCC | Nichicon | CAP TANT POLY 220UF 4V 2312 | inquérito |
|
F320BJHEPTTL60 | Sharp Microelectronics | IC FLASH 32M PARALLEL 48TSOP | inquérito |
 |
F320G476MAA | Nichicon | CAP TANT POLY 47UF 4V 1206 | inquérito |
|
F32K-327SJ4X | IDT (Integrated Device Technology) | OSCILLATOR | inquérito |
|
F321A107MCC | Nichicon | CAP TANT POLY 100UF 10V 2312 | inquérito |
|
F320J157MCC | Nichicon | CAP TANT POLY 150UF 6.3V 2312 | inquérito |
|
F321A336MAA | Nichicon | CAP TANT POLY 33UF 10V 1206 | inquérito |
|
F320G107MBA | Nichicon | CAP TANT POLY 100UF 4V 1411 | inquérito |
 |
F320J476MAA | Nichicon | CAP TANT POLY 47UF 6.3V 1206 | inquérito |
|
F320E227MBA | Nichicon | CAP TANT POLY 220UF 2.5V 1411 | inquérito |
 |
F320J107MBA | Nichicon | CAP TANT POLY 100UF 6.3V 1411 | inquérito |
 |
F320G157MBA | Nichicon | CAP TANT POLY 150UF 4V 1411 | inquérito |
Latest Notícias
- O ARM apareceu em Computex 2024: Espera -se que mais de 100 bilhões de dispositivos de braço possam ser usados para a IA até o final de 2025
- O Qorvo lançou as excelentes preliminares do setor 5G 5G MMIMO
- Inventário de ciclo de simulação para fora, a IA aciona a demanda de memória flash continua
- Plano da Micron de construir uma fábrica, a memória flash NAND a preços altos ou manutenção
- O desempenho da ADI é reduzido, os substratos de folha de cobre aumentaram, o armazenamento da fábrica original aumenta a produção conservadora
- A onda de inteligência no carro está chegando, e Aimus Oslang ajudou Sagita Juguang a libertar o MX Lidar
- A capacidade de produção de HBM é excluída, a memória DRAM pode estar em falta na segunda metade do ano
- Os fundadores da parede terminarão, HBM ou farão com que o DRAM suba novamente
- Demanda de expansão de telefone e PC da IA, melhoria da indústria de fabricação de semicondutores globais
- Entenda as necessidades dos ADAS e sistemas de monitoramento de cabine para sensores de imagem de segurança de rede
- Há rumores de que Samsung e Sk Hynix pararam o DDR3, e a citação de promoção aumentou 20 %
- Melexis lançado MLX90427: Controle de linha para nova escolha, segura, eficiente e econômica