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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - Bipolar (BJT) - Single > ESM2012DV
ESM2012DV
ESM2012DV
Modelo do Produto:
ESM2012DV
Fabricante:
STMicroelectronics
Descrição:
TRANS NPN DARL 120V 120A ISOTOP
Status sem chumbo:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
41964 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Tempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de dados:
ESM2012DV.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

Condição New & Original, tested
País de origem Contact us
Código de Marcação Send by email
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):120V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic:1.5V @ 1A, 100A
Tipo transistor:NPN - Darlington
Embalagem do dispositivo fornecedor:ISOTOP®
Série:-
Power - Max:175W
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:ISOTOP
Temperatura de operação:150°C (TJ)
Tipo de montagem:Chassis Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Frequência - Transição:-
Descrição detalhada:Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 120V 120A 175W Chassis Mount ISOTOP®
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce:1200 @ 100A, 5V
Atual - Collector Cutoff (Max):-
Atual - Collector (Ic) (Max):120A
Email:[email protected]

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