DTA115TUAT106
DTA115TUAT106
Modelo do Produto:
DTA115TUAT106
Fabricante:
LAPIS Semiconductor
Descrição:
TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3
Status sem chumbo:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
45102 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Tempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de dados:
1.DTA115TUAT106.pdf2.DTA115TUAT106.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Original, tested
País de origem Contact us
Código de Marcação Send by email
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):50V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 100µA, 1mA
Tipo transistor:PNP - Pre-Biased
Embalagem do dispositivo fornecedor:UMT3
Série:-
Resistor - Base (R1):100 kOhms
Power - Max:200mW
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:SC-70, SOT-323
Outros nomes:DTA115TUAT106-ND
DTA115TUAT106TR
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:10 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Frequência - Transição:250MHz
Descrição detalhada:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount UMT3
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce:100 @ 1mA, 5V
Atual - Collector Cutoff (Max):500nA (ICBO)
Atual - Collector (Ic) (Max):100mA
Número da peça base:DTA115
Email:[email protected]

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