DTA114GUAT106
DTA114GUAT106
Modelo do Produto:
DTA114GUAT106
Fabricante:
LAPIS Semiconductor
Descrição:
TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3
Status sem chumbo:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
34153 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Tempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de dados:
1.DTA114GUAT106.pdf2.DTA114GUAT106.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Original, tested
País de origem Contact us
Código de Marcação Send by email
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):50V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 500µA, 10mA
Tipo transistor:PNP - Pre-Biased
Embalagem do dispositivo fornecedor:UMT3
Série:-
Resistor - Base (R1):10 kOhms
Power - Max:200mW
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:SC-70, SOT-323
Outros nomes:DTA114GUAT106TR
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:10 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Frequência - Transição:250MHz
Descrição detalhada:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount UMT3
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce:30 @ 5mA, 5V
Atual - Collector Cutoff (Max):500nA (ICBO)
Atual - Collector (Ic) (Max):100mA
Número da peça base:DTA114
Email:[email protected]

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