DTA113ZSATP
DTA113ZSATP
Modelo do Produto:
DTA113ZSATP
Fabricante:
LAPIS Semiconductor
Descrição:
TRANS PREBIAS PNP 300MW SPT
Status sem chumbo:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
30697 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Tempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de dados:
DTA113ZSATP.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Original, tested
País de origem Contact us
Código de Marcação Send by email
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):50V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 500µA, 10mA
Tipo transistor:PNP - Pre-Biased
Embalagem do dispositivo fornecedor:SPT
Série:-
Resistor - Base do Emissor (R2):10 kOhms
Resistor - Base (R1):1 kOhms
Power - Max:300mW
Embalagem:Tape & Box (TB)
Caixa / Gabinete:SC-72 Formed Leads
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Frequência - Transição:250MHz
Descrição detalhada:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 300mW Through Hole SPT
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce:33 @ 5mA, 5V
Atual - Collector Cutoff (Max):500nA
Atual - Collector (Ic) (Max):100mA
Número da peça base:DTA113
Email:[email protected]

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