DSS2540M-7B está disponível agora!A tecnologia LYNTEAM é o distribuidor de meia para DSS2540M-7B, temos as ações para envio imediato e também disponível por um longo período de tempo.Por favor, envie-nos o seu plano de compra para DSS2540M-7B por e-mail, vamos dar-lhe um melhor preço de acordo com o seu plano.
Compre DSS2540M-7B com LYNTEAM, economize seu dinheiro e tempo.
Nosso email: [email protected]
DSS2540M-7B
- Modelo do Produto:
- DSS2540M-7B
- Fabricante:
- Diodes Incorporated
- Descrição:
- TRANS NPN 40V 0.5A DFN1006-3
- Status sem chumbo:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade em estoque:
- 56235 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days
- Tempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de dados:
- DSS2540M-7B.pdf
Introdução
Especificações
| Condição | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origem | Contact us |
| Código de Marcação | Send by email |
| Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max): | 40V |
| Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic: | 250mV @ 50mA, 500mA |
| Tipo transistor: | NPN |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | 3-DFN1006 (1.0x0.6) |
| Série: | - |
| Power - Max: | 250mW |
| Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete: | 3-UFDFN |
| Outros nomes: | DSS2540M-7BDITR DSS2540M7B |
| Temperatura de operação: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 14 Weeks |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frequência - Transição: | 300MHz |
| Descrição detalhada: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 40V 500mA 300MHz 250mW Surface Mount 3-DFN1006 (1.0x0.6) |
| DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce: | 150 @ 100mA, 2V |
| Atual - Collector Cutoff (Max): | 100nA (ICBO) |
| Atual - Collector (Ic) (Max): | 500mA |
| Número da peça base: | DSS2540M |
| Email: | [email protected] |
Peças relacionadas para DSS2540M-7B
Latest Notícias
- O Qorvo lançou as excelentes preliminares do setor 5G 5G MMIMO
- Inventário de ciclo de simulação para fora, a IA aciona a demanda de memória flash continua
- Plano da Micron de construir uma fábrica, a memória flash NAND a preços altos ou manutenção
- O desempenho da ADI é reduzido, os substratos de folha de cobre aumentaram, o armazenamento da fábrica original aumenta a produção conservadora
- A onda de inteligência no carro está chegando, e Aimus Oslang ajudou Sagita Juguang a libertar o MX Lidar
- A capacidade de produção de HBM é excluída, a memória DRAM pode estar em falta na segunda metade do ano
- Os fundadores da parede terminarão, HBM ou farão com que o DRAM suba novamente
- Demanda de expansão de telefone e PC da IA, melhoria da indústria de fabricação de semicondutores globais
- Entenda as necessidades dos ADAS e sistemas de monitoramento de cabine para sensores de imagem de segurança de rede
- Há rumores de que Samsung e Sk Hynix pararam o DDR3, e a citação de promoção aumentou 20 %
- Melexis lançado MLX90427: Controle de linha para nova escolha, segura, eficiente e econômica
- O Relatório Financeiro da NXP e Ansonmei anunciou, e o preço dos preços de cobre é transmitido ao setor de IC