DS26528GNA5 está disponível agora!A tecnologia LYNTEAM é o distribuidor de meia para DS26528GNA5, temos as ações para envio imediato e também disponível por um longo período de tempo.Por favor, envie-nos o seu plano de compra para DS26528GNA5 por e-mail, vamos dar-lhe um melhor preço de acordo com o seu plano.
Compre DS26528GNA5 com LYNTEAM, economize seu dinheiro e tempo.
Nosso email: [email protected]
DS26528GNA5
- Modelo do Produto:
- DS26528GNA5
- Fabricante:
- Maxim Integrated
- Descrição:
- IC TXRX OCTAL T1/E1/J1 256CSBGA
- Status sem chumbo:
- Contém chumbo / RoHS não compatível
- Quantidade em estoque:
- 43967 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days
- Tempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de dados:
- DS26528GNA5.pdf
Introdução
Especificações
| Condição | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origem | Contact us |
| Código de Marcação | Send by email |
| Tensão - Fornecimento: | 3.135 V ~ 3.465 V |
| Digitar: | Transceiver |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | 256-CSBGA (17x17) |
| Série: | - |
| Protocolo: | IEEE 1149.1 |
| Embalagem: | Tray |
| Caixa / Gabinete: | 256-LBGA, CSBGA |
| Temperatura de operação: | -40°C ~ 85°C |
| Número de Drivers / Receivers: | 4/4 |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Duplex: | Full |
| Descrição detalhada: | 4/4 Transceiver Full IEEE 1149.1 256-CSBGA (17x17) |
| Taxa de dados: | - |
| Número da peça base: | DS26528 |
| Email: | [email protected] |
Peças relacionadas para DS26528GNA5
Latest Notícias
- O ARM apareceu em Computex 2024: Espera -se que mais de 100 bilhões de dispositivos de braço possam ser usados para a IA até o final de 2025
- O Qorvo lançou as excelentes preliminares do setor 5G 5G MMIMO
- Inventário de ciclo de simulação para fora, a IA aciona a demanda de memória flash continua
- Plano da Micron de construir uma fábrica, a memória flash NAND a preços altos ou manutenção
- O desempenho da ADI é reduzido, os substratos de folha de cobre aumentaram, o armazenamento da fábrica original aumenta a produção conservadora
- A onda de inteligência no carro está chegando, e Aimus Oslang ajudou Sagita Juguang a libertar o MX Lidar
- A capacidade de produção de HBM é excluída, a memória DRAM pode estar em falta na segunda metade do ano
- Os fundadores da parede terminarão, HBM ou farão com que o DRAM suba novamente
- Demanda de expansão de telefone e PC da IA, melhoria da indústria de fabricação de semicondutores globais
- Entenda as necessidades dos ADAS e sistemas de monitoramento de cabine para sensores de imagem de segurança de rede
- Há rumores de que Samsung e Sk Hynix pararam o DDR3, e a citação de promoção aumentou 20 %
- Melexis lançado MLX90427: Controle de linha para nova escolha, segura, eficiente e econômica