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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - Bipolar (BJT) - Single, pre-tendenc > DRA9A14Y0L
DRA9A14Y0L
DRA9A14Y0L
Modelo do Produto:
DRA9A14Y0L
Fabricante:
Panasonic
Descrição:
TRANS PREBIAS PNP 0.125W SSMINI3
Status sem chumbo:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
25209 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Tempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de dados:
DRA9A14Y0L.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

Condição New & Original, tested
País de origem Contact us
Código de Marcação Send by email
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):50V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic:250mV @ 500µA, 10mA
Tipo transistor:PNP - Pre-Biased
Embalagem do dispositivo fornecedor:SSMini3-F3-B
Série:-
Resistor - Base do Emissor (R2):47 kOhms
Resistor - Base (R1):10 kOhms
Power - Max:125mW
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:SC-89, SOT-490
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:11 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Descrição detalhada:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 80mA 125mW Surface Mount SSMini3-F3-B
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce:80 @ 5mA, 10V
Atual - Collector Cutoff (Max):500nA
Atual - Collector (Ic) (Max):80mA
Número da peça base:DRA9A
Email:[email protected]

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