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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - Bipolar (BJT) - Single, pre-tendenc > DRA5124E0L
DRA5124E0L
DRA5124E0L
Modelo do Produto:
DRA5124E0L
Fabricante:
Panasonic
Descrição:
TRANS PREBIAS PNP 150MW SMINI3
Status sem chumbo:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
32267 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Tempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de dados:
DRA5124E0L.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

Condição New & Original, tested
País de origem Contact us
Código de Marcação Send by email
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):50V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic:250mV @ 500µA, 10mA
Tipo transistor:PNP - Pre-Biased
Embalagem do dispositivo fornecedor:SMini3-F2-B
Série:-
Resistor - Base do Emissor (R2):22 kOhms
Resistor - Base (R1):22 kOhms
Power - Max:150mW
Embalagem:Cut Tape (CT)
Caixa / Gabinete:SC-85
Outros nomes:DRA5124E0LCT
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:11 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Descrição detalhada:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount SMini3-F2-B
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce:60 @ 5mA, 10V
Atual - Collector Cutoff (Max):500nA
Atual - Collector (Ic) (Max):100mA
Número da peça base:DRA5124
Email:[email protected]

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