DMT36M1LPS-13
DMT36M1LPS-13
Modelo do Produto:
DMT36M1LPS-13
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descrição:
MOSFET N-CH 30V 65A POWERDI5060
Status sem chumbo:
Contém chumbo / Em conformidade com a RoHS
Quantidade em estoque:
26453 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Tempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de dados:
DMT36M1LPS-13.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Original, tested
País de origem Contact us
Código de Marcação Send by email
VGS (th) (Max) @ Id:3V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:PowerDI5060-8
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:6 mOhm @ 20A, 10V
Dissipação de energia (Max):2.6W (Ta)
Embalagem:Cut Tape (CT)
Caixa / Gabinete:8-PowerTDFN
Outros nomes:DMT36M1LPS-13DICT
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:20 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Contains lead / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1155pF @ 15V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:16.7nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):30V
Descrição detalhada:N-Channel 30V 65A (Tc) 2.6W (Ta) Surface Mount PowerDI5060-8
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:65A (Tc)
Email:[email protected]

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