DMP3015LSSQ-13 está disponível agora!A tecnologia LYNTEAM é o distribuidor de meia para DMP3015LSSQ-13, temos as ações para envio imediato e também disponível por um longo período de tempo.Por favor, envie-nos o seu plano de compra para DMP3015LSSQ-13 por e-mail, vamos dar-lhe um melhor preço de acordo com o seu plano.
Compre DMP3015LSSQ-13 com LYNTEAM, economize seu dinheiro e tempo.
Nosso email: [email protected]
DMP3015LSSQ-13
- Modelo do Produto:
- DMP3015LSSQ-13
- Fabricante:
- Diodes Incorporated
- Descrição:
- MOSFET P-CH 30V 13A 8-SO
- Status sem chumbo:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade em estoque:
- 25101 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days
- Tempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de dados:
- DMP3015LSSQ-13.pdf
Introdução
Especificações
| Condição | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origem | Contact us |
| Código de Marcação | Send by email |
| Tensão - Teste: | 2748pF @ 20V |
| Tensão - Breakdown: | 8-SO |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 11 mOhm @ 13A, 10V |
| Vgs (Max): | 4.5V, 10V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Série: | - |
| Status de RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 13A (Ta) |
| Polarização: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Outros nomes: | DMP3015LSSQ-13DITR |
| Temperatura de operação: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 16 Weeks |
| Número de peça do fabricante: | DMP3015LSSQ-13 |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 60.4nC @ 10V |
| Tipo de IGBT: | ±20V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 2V @ 250µA |
| Característica FET: | P-Channel |
| Descrição expandida: | P-Channel 30V 13A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | - |
| Descrição: | MOSFET P-CH 30V 13A 8-SO |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 30V |
| Rácio de capacitância: | 2.5W (Ta) |
| Email: | [email protected] |
Peças relacionadas para DMP3015LSSQ-13
Latest Notícias
- Inventário de ciclo de simulação para fora, a IA aciona a demanda de memória flash continua
- Plano da Micron de construir uma fábrica, a memória flash NAND a preços altos ou manutenção
- O desempenho da ADI é reduzido, os substratos de folha de cobre aumentaram, o armazenamento da fábrica original aumenta a produção conservadora
- A onda de inteligência no carro está chegando, e Aimus Oslang ajudou Sagita Juguang a libertar o MX Lidar
- A capacidade de produção de HBM é excluída, a memória DRAM pode estar em falta na segunda metade do ano
- Os fundadores da parede terminarão, HBM ou farão com que o DRAM suba novamente
- Demanda de expansão de telefone e PC da IA, melhoria da indústria de fabricação de semicondutores globais
- Entenda as necessidades dos ADAS e sistemas de monitoramento de cabine para sensores de imagem de segurança de rede
- Há rumores de que Samsung e Sk Hynix pararam o DDR3, e a citação de promoção aumentou 20 %
- Melexis lançado MLX90427: Controle de linha para nova escolha, segura, eficiente e econômica
- O Relatório Financeiro da NXP e Ansonmei anunciou, e o preço dos preços de cobre é transmitido ao setor de IC
- A MOELS Micro Electronics criou um novo escritório em Taiwan, China para expandir o território comercial