DMN65D8LQ-13
DMN65D8LQ-13
Modelo do Produto:
DMN65D8LQ-13
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descrição:
MOSFET N-CH 60V SOT23
Status sem chumbo:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
37339 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Tempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de dados:
DMN65D8LQ-13.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Original, tested
País de origem Contact us
Código de Marcação Send by email
VGS (th) (Max) @ Id:2V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:SOT-23
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:3 Ohm @ 115mA, 10V
Dissipação de energia (Max):370mW (Ta)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:12 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:22pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:0.87nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):60V
Descrição detalhada:N-Channel 60V 310mA (Ta) 370mW (Ta) Surface Mount SOT-23
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:310mA (Ta)
Email:[email protected]

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